超级沟槽MOSFET

超级沟槽MOSFET系列产品采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽（Shield Gate Deep Trench）技术，全面提升了器件的开关特性和导通特性，同时降低了器件的特征导通电阻（Rsp）和栅极电荷（Qg）。通过采用这一先进技术，最新的75V-150V中压MOSFET产品的FOM(品质因数(Rdson*Qg))比传统沟槽型功率MOSFET降低了45%。新款超级沟槽MOSFET的软体二极管性能可以有效降低同步整流中的电压尖峰，实现在AC/DC电源的同步整流中快速开关。

超级沟槽技术全面提升了产品的导通电阻温度特性，有效控制了器件导通电阻随温度增加而上升的幅度，以100V产品为例，对比传统沟槽型MOSFET产品，Super Trench技术将器件175度下的导通电阻倍增因子（Rdson@Tc=175C/Rdson@Tc=25C）由原有的2.29降低为2.09，从而显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性。超级沟槽 MOSFET产品将更适宜于高温严酷环境下的应用！

配合先进的封装技术，超级沟槽技术致力于提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度，同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量，实现快速、平稳、高效的电源管理和电能转换。

目前推出的量产品种包含30V~230V的电压系列，同时为您带来包括TO-247、TO-220、TO-220F、TO-263、TO-252、DFN 5*6等多款封装外形选择。

特点与优势：

· 极低的Rdson                               · 极低的Qg和Qgd                              · 极低的FOM（Rdson*Qg）            · 高温下的电流能力更强

· 快速柔软恢复的体二极管特性     · 低Crss/Ciss，增强抗EMI能力         · 高UIS耐量，100%出厂测试           · 符合RoHS标准

应用：

· 交流/直流电源的同步整流                 · 直流电机驱动                                   · 电池充电器和电池保护电路           · 逆变器

·36V-96V系统中的马达控制                · 隔离的直流-直流转换器                   · 不间断电源