IGBT

新一代（Trench FS II）IGBT系列产品， 基于沟槽电场截止型IGBT技术（Trench Field Stop）理论，进一步优化了器件结构，采用了先进超薄片工艺制程（Ultra Thin Wafer Process），大幅提高了器件的功率密度，显著改善了动态、静态性能。相比上一代（Trench FS）IGBT，新一代（Trench FS II）IGBT芯片面积更小，芯片厚度更薄；导通压降（VCEsat）降低约0.3V，开关损耗降低20%以上；器件可耐工作温度更高，使用寿命更长；且维持了较强的短路能力、较高的参数一致性；综合性能达到业内领先水平。

针对不同的应用需求，推出了完善的IGBT产品系列，确保在特定应用中，器件保持最佳工作状态，助您实现最理想的整机效率。

对于焊接、太阳能、UPS、电机驱动和家用电器等硬开关应用，推出了低速（<20KHZ）和高速系列（<60KHZ）产品系列，提供各种封装形式，方便用户灵活设计。

对于感应加热、太阳能等谐振开关应用，推出了新一代1200V、1350V产品系列，具有高击穿电压、大通流容量等优势；与反并联二极管或单片集成二极管合并封装，方便应用设计。

特点与优势：

- 低导通压降（VCEsat）             - 低开关损耗（Ets）           -短路能力10us          - 低电磁干扰

- 电参数重复性和一致性             - 高可靠性                    - 高温稳定性           - 符合RoHS标准    

应用：

- 电机驱动              - 逆变焊机                       - 不间断电源UPS             - 变频器        

- 工业逆变器          - 太阳能功率转换器         - 电磁感应加热                 - 谐振开关应用